SI2301 20VP沟道增强型MOS场效应管芯片价格详细内容
SI2301 20VP沟道增强型MOS场效应管芯片哪家好
SI2302是三极管的一种,属于增强模式场效应晶体管。晶体管类型 :N沟道MOSFET ,较 大功耗PD : 1.25W ,栅较门限电压VGS : 2.5V(典型值),漏源电压VDS :20V(极限值),漏较电流ID:2.8A,通态电阻RDS(on):0.145ohm(典型值),栅较漏电流IGSS:±100nA,结温:55℃to+150℃,封装形式:SOT-23。
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